据韩媒 ZDNetKorea 报道，SK 海力士 EUV 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体透露，该企业计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机。
SK 海力士的一位工程师表示，公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队，正全力致力于将 High NA EUV 光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。这一举措标志着 SK 海力士在半导体技术领域的重大战略布局，旨在提升其在存储芯片市场的竞争力。
综合已有报道，在几大先进逻辑制程与存储半导体企业中，英特尔率先拿下了全球第一台商用 High NA EUV 光刻机，其第二台 High NA 机台也已在运至俄勒冈州研发晶圆厂的途中。而台积电和三星电子两家企业用于研发目的的首台 High NA EUV 光刻机也分别有望于 2024 年内、2024 年四季度至 2025 年一季度交付。
SK 海力士此次的计划展示了其对未来技术发展的坚定决心和前瞻性视野。随着半导体行业的竞争日益激烈，先进的光刻技术对于提高芯片性能、降低成本以及满足市场对更高存储容量和更快处理速度的需求至关重要。
未来几年，我们将密切关注 SK 海力士在这一领域的进展，期待其能够凭借这一战略举措在半导体市场中取得更加显著的成就。
